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Angstrom-Dep® 原子层沉积系统：模块化和定制化产品

  • 二十年的ALD经验. 除普通的热ALD外, 尤擅长等离子体ALD，多孔材料的ALD 和粉末材料的ALD；

  • 注重系统的内在功能, 可靠性和实用性；

  • 可做批量的粉末ALD。粉末样品收集方便，ALD腔体易清理，无不同粉末样品间的交叉污染；

  • 允许使用腐蚀性前驱体，因此可做低温ALD, 对处理有机聚合物等非常重要；

  • 产品可模块化设计，升级和维护容易。可方便地将客户已有的晶片ALD系统加上等离子体功能，独立的粉末ALD腔体，以及臭氧氧化功能；有抽屉式样品台和拉门式前驱体源室，样品和前驱体的更换方便快捷。

  • 注重系统的内在功能， 可靠性和实用性；
  • 基于多年业界经验开发的ALD气路流程和ALD腔体的独特设计；
  • 系统有自动启动的自清洁功能， 有效避免管路沉积甚至堵塞；
  • 计算机程控，实验参数可备份并随时调用。
  • 模块化设计；
  • 独立晶片（RT-450°C)；
  • 独立前驱体（前驱体及气路有温控功能）；
  • 独立粉末腔（RT-350°C)；
  • 用户可根据实际需求选择配置或升级配置。
  • 优越的粉末ALD功能
  • 粉末腔有倾角旋转，主动扰动功能，使粉末在ALD过程中分散均匀， 让ALD更加均匀；
  • 透明粉末瓶带有背光，便于在实验中随时观察粉末状态；
  • 粉末瓶方便地取出， 清理方便；
  • 标准化粉末瓶，更换粉末瓶避免不同样品之间的可能污染；
  • 特殊定制开发的隔离阀，安装在瓶口，方便在样品转运过程中隔绝水氧。
  • 可加热的样品台，快速温度控制；
  • 单腔结构，简单，便捷，易维护；
  • 抽屉式样品台， 拉开即可换样；
  • 根据需要选择3寸和8寸样品台；
  • 粉末腔与晶片腔是独立的两个腔室，防止粉末， 尤其是肉眼看不到的纳米粉末, 对晶片的污染。
  • 可以在晶片腔加入等离子体功能；
  • 可以在前驱体部分加入臭氧功能；

  • 可以在粉末腔部分加入UV活化功能；

  • 可以在粉末瓶上安装水氧隔离阀，方便样品传输。

各种定制化 ALD 系统

标准 Angstrom-Dep® 多功能复合系统

专业晶圆系统

高性价比Mini-tower桌面系统

粉末 ALD 系统

12英寸旋转台工业量产 ALD系统

可供选择的系统，点击每个系统以深入了解

Publications using Angstrom-Dep systems

The insertion of the ALD diffusion barriers: An approach to improve the quality of the GaN deposited on Kapton by PEALD Applied Surface. Science Volume 566, 15 November 2021, 150684

Atomic Layer Deposition of l-Alanine Polypeptide J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 45, 15821–15824

Ultra-thin enzymatic liquid membrane for CO2 separation and capture Nature Communications volume 9, Article number: 990 (2018)

Study on electrochemical performance of multi-wall carbon nanotubes coated by iron oxide nanoparticles as advanced electrode materials for supercapacitors Vacuum Volume 143, September 2017, Pages 371-379

Baking and plasma pretreatment of sapphire surfaces as a way to facilitate the epitaxial plasma-enhanced atomic layer deposition of GaN thin films Appl. Phys. Lett. 116, 211601 (2020)

PEALD-deposited crystalline GaN films on Si (100) substrates with sharp interfaces 2019 Chinese Phys. B 28 026801

Interfacial Tailoring for the Suppression of Impurities in GaN by In Situ Plasma Pretreatment via Atomic Layer Deposition ACS Appl. Mater. Interfaces 2019, 11, 38, 35382–35388

Growth of Gallium Nitride Films on Multilayer Graphene Template Using Plasma-Enhanced Atomic Layer DepositionActa Metallurgica Sinica (English Letters) volume 32, pages1530–1536 (2019)

PEALD-Grown Crystalline AlN Films on Si (100) with Sharp Interface and Good Uniformity Nanoscale Research Letters volume 12, Article number: 279 (2017)

Plasma-enhanced atomic-layer-deposited gallium nitride as an electron transport layer for planar perovskite solar cells J. Mater. Chem. A, 2019,7, 25347-25354

Pt-Based Nanoreactors Derived from ZIF-67 Nanocubes on Al2O3 Films for Low-Temperature CO Oxidation ACS Appl. Nano Mater. 2022, 5, 7, 9882–9892

Angstrom Thinfilm Technologies

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