ANGSTROM-DEP ALD 系统


Angstrom-dep ® 原子层沉积(ALD)系统由美国埃米薄膜技术公司推出。
公司成立于2008年,是国际上最早推出具有粉末ALD功能的商业化ALD系统的公司。并在热ALD和等离子体ALD用于纳米颗粒改性,纳米多孔材料性能调控等领域与美国国家实验室和多所大学有紧密合作,曾获2011年R&D100国际大奖。
其ALD系统可广泛用于半导体工艺,纳米技术, 燃料电池催化, 电极材料,太阳能电池以及仿生薄膜等领域。







优越性:
价格优势,可靠性/可操作性强
同时具有独立的晶片腔,粉末腔
可以快速替换,透明的标准粉末腔(瓶)
特制的隔离阀,可以避免粉末样品在制备前后,在手套箱和粉末瓶传递过程中,水氧对样品的破坏
粉末ALD紫外线活化功能
晶片腔
粉末腔
隔离阀
二十年的ALD经验
除普通的热ALD外, 尤擅长等离子体ALD, 多孔材料的ALD 和粉末材料的ALD
注重系统的内在功能, 可靠性和实用性
粉末ALD
可做批量的粉末ALD
粉末样品收集方便
ALD腔体易清理,无不同粉末样品间的交叉污染
更高的温度范围
425°C:晶片加热样品台温度,几乎满足所有ALD的要求
325°C:粉末和晶片设备皆可达到
280°C:有的ALD过程需要,比如Pt
可使用腐蚀性前驱体
因此可做低温ALD,对处理有机聚合物等非常重要
模块化设计产品
升级和维护容易. 可方便地将客户已有的普通热ALD系统加上等离子体功能和独立的粉末ALD腔体
同时具有独立的晶片腔和粉末腔
晶片ALD
可加热样品台的单腔体结构
抽屉式快速进样
温度控制快速
易于操作和维修




粉末模块
前驱体模块
晶片模块
等离子体,臭氧
Angstrom Thinfilm Technologies
2825 Broadbent Business Park, Unit AAlbuquerque, NM 87107, USA
Headquarter
1120 Nimitz Ln, Foster City, CA 94404, USA




